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　　6月30日消息，三星电子今日宣布，基于3纳米(nm)全环绕栅极(Gate-All-AroundT，简称 GAA)制程工艺节点的芯片已经开始初步生产。

　　3nm GAA技术采用了更宽通的纳米片，与采用窄通道纳米线的GAA技术相比能提供更高的性能和能耗比。

　　与三星5nm工艺相比，第一代3nm工艺可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面积减少16%；而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少35%。

（文章来源：界面新闻）

文章来源：界面新闻

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